Samsung DDR3 1600 DIMM 4Gb

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2


Д
Долотов Денис оценил 14.01.2016
Оценка:
Уверенный и лёгкий разгон Получаются дешевле всех (с учётом разгона) Сильно не греются при разгоне (не более 40-45 градусов)
Не обнаружено
Прекрасно работают на частоте 2400 Мгц с таймингами 11-13-13-30-1T при напряжении 1,58В. (Haswell, Z87)