Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 Мб/с |
Объем | 3 модуля по 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | есть |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 8 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 8 |
Row Precharge Delay (tRP) | 8 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.65 В |
Радиатор | есть |
Дополнительная информация | поддержка Intel XMP |