Общие характеристики | |
Socket | LGA1366 |
Ядро | |
Ядро | Bloomfield |
Количество ядер | 4 |
Техпроцесс | 45 нм |
Частотные характеристики | |
Тактовая частота | 3067 МГц |
Системная шина | QPI |
Коэффициент умножения | 23 |
Напряжение на ядре | 0.8 B |
Встроенный контроллер памяти | есть, полоса 25.6 Гб/с |
Кэш | |
Объем кэша L1 | 64 Кб |
Объем кэша L2 | 1024 Кб |
Объем кэша L3 | 8192 Кб |
Наборы команд | |
Поддержка Hyper-Threading | есть |
Инструкции | MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4 |
Поддержка AMD64/EM64T | есть |
Поддержка NX Bit | есть |
Поддержка Virtualization Technology | есть |
Дополнительно | |
Типичное тепловыделение | 130 Вт |
Максимальная рабочая температура | 67.9 °C |
Дополнительная информация | напряжение на ядре 0.80В-1.375В |