Общие характеристики | |
Socket | LGA775 |
Ядро | |
Ядро | Yorkfield |
Количество ядер | 4 |
Техпроцесс | 45 нм |
Частотные характеристики | |
Тактовая частота | 2833 МГц |
Системная шина | 1333 МГц |
Коэффициент умножения | 8.5 |
Напряжение на ядре | 0.85 B |
Кэш | |
Объем кэша L1 | 64 Кб |
Объем кэша L2 | 12288 Кб |
Наборы команд | |
Инструкции | MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4 |
Поддержка AMD64/EM64T | есть |
Поддержка NX Bit | есть |
Поддержка Virtualization Technology | есть |
Дополнительно | |
Типичное тепловыделение | 65 Вт |
Максимальная рабочая температура | 76.3 °C |
Дополнительная информация | напряжение на ядре 0.85В-1.3625В |