| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR3 | 
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный | 
| Тактовая частота | 1333 МГц | 
| Пропускная способность | 10600 Мб/с | 
| Объем | 1 модуль 1 Гб | 
| Поддержка ECC | нет | 
| Буферизованная (Registered) | нет | 
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет | 
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 9 | 
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 | 
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 | 
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 1.5 В | 
