| Общие характеристики | |
| Socket | LGA1366 | 
| Ядро | |
| Ядро | Bloomfield | 
| Количество ядер | 4 | 
| Техпроцесс | 45 нм | 
| Частотные характеристики | |
| Тактовая частота | 3067 МГц | 
| Системная шина | QPI | 
| Коэффициент умножения | 23 | 
| Напряжение на ядре | 0.8 B | 
| Встроенный контроллер памяти | есть, полоса 25.6 Гб/с | 
| Кэш | |
| Объем кэша L1 | 64 Кб | 
| Объем кэша L2 | 1024 Кб | 
| Объем кэша L3 | 8192 Кб | 
| Наборы команд | |
| Поддержка Hyper-Threading | есть | 
| Инструкции | MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4 | 
| Поддержка AMD64/EM64T | есть | 
| Поддержка NX Bit | есть | 
| Поддержка Virtualization Technology | есть | 
| Дополнительно | |
| Типичное тепловыделение | 130 Вт | 
| Максимальная рабочая температура | 67.9 °C | 
| Дополнительная информация | напряжение на ядре 0.80В-1.375В | 
