| Общие характеристики | |
| Socket | LGA775 | 
| Ядро | |
| Ядро | Kentsfield | 
| Количество ядер | 4 | 
| Техпроцесс | 65 нм | 
| Частотные характеристики | |
| Тактовая частота | 2667 МГц | 
| Системная шина | 1066 МГц | 
| Коэффициент умножения | 10 | 
| Напряжение на ядре | 1.372 B | 
| Кэш | |
| Объем кэша L1 | 64 Кб | 
| Объем кэша L2 | 8192 Кб | 
| Наборы команд | |
| Инструкции | MMX, SSE, SSE2, SSE3 | 
| Поддержка AMD64/EM64T | есть | 
| Поддержка NX Bit | есть | 
| Поддержка Virtualization Technology | есть | 
| Дополнительно | |
| Типичное тепловыделение | 95 Вт | 
| Максимальная рабочая температура | 71 °C | 
| Дополнительная информация | Core Stepping G0: тепловыделение 95Вт, максимальная рабочая температура 71C, Core Stepping B3: тепловыделение 105Вт, максимальная рабочая температура 62.2C | 
