| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR2 | 
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный | 
| Тактовая частота | 800 МГц | 
| Пропускная способность | 6400 Мб/с | 
| Объем | 1 модуль 2 Гб | 
| Поддержка ECC | нет | 
| Буферизованная (Registered) | нет | 
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет | 
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 5 | 
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 | 
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 | 
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 18 | 
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 1.8 В | 
