| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR3 | 
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный | 
| Тактовая частота | 1600 МГц | 
| Пропускная способность | 12800 Мб/с | 
| Объем | 1 модуль 2 Гб | 
| Поддержка ECC | нет | 
| Буферизованная (Registered) | нет | 
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет | 
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 11 | 
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 | 
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 | 
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 | 
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 1.5 В | 
