Samsung DDR3 1600 DIMM 4Gb

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2


im
imneitebe оценил 15.03.2014
Оценка:
Как обычно - самсунговская память проявила себя отлично как в плане безотказности, так и в плане разгона. Всегда беру Самсунг или Хиникс и спокойно гоню их.
Как обычно - хочеться дешевле....лучше даром )))
Планки работают в двухканальном режиме. Спокойно взяли 2000Мгц при таймингах 9-10-10-24, с напряжением не заморачивался, чуть поднял до 1.58. Мемтест и Прайм проходят без ошибок.