Samsung DDR3 1600 DIMM 4Gb

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2


М
Милов Артём оценил 28.02.2017
Оценка:
Отличные плашки
нет