Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 8 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Количество ранков | 2 |